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H9HCNNNBKUMLXR-NEE
IC

FBGA-200(10x15)

可供量大可议

H9HCNNNBKUMLXR-NEE

LPDDR4 - SDRAM是一种高速同步DRAM器件, 内部配置有1个或2个通道。 单通道由8个存储体组成, 每通道密度为1 Gb至16 Gb。 双通道由8个存储体组成, 每通道密度为2 Gb至32 Gb

品牌

HYNIX

封装

FBGA-200(10x15)

库存

1,400

货期

现货

H9HCNNNBKUMLXR-NEE参数

封装FBGA-200(10x15)
品牌HYNIX(海力士)
MOQ / SPQ1 / 1
分类DDR SDRAM
库存1400

H9HCNNNBKUMLXR-NEE概述

LPDDR4 - SDRAM是一种高速同步DRAM器件, 内部配置有1个或2个通道。 单通道由8个存储体组成, 每通道密度为1 Gb至16 Gb。 双通道由8个存储体组成, 每通道密度为2 Gb至32 Gb

H9HCNNNBKUMLXR-NEE特性

暂无产品特性。

H9HCNNNBKUMLXR-NEE应用领域

暂无应用领域。

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