H9HCNNN8KUMLHR-NME
IC
BGA-200(10x15)
可供量大可议
H9HCNNN8KUMLHR-NME
特性：VDD1 = 1.8V (1.7V to 1.95V)。 VDD2, VDDCA and VDDQ = 1.1V (1.06 to 1.17)。 VSSQ terminated DQ signals (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI)。 单数据速率架构用于命令和地址； 所有控制和地址在时钟上升沿锁存
品牌
HYNIX
封装
BGA-200(10x15)
库存
5
货期
现货
H9HCNNN8KUMLHR-NME参数
| 封装 | BGA-200(10x15) |
|---|---|
| 品牌 | HYNIX(海力士) |
| 批次 | 20+ |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM |
| 存储容量 | 8Gbit |
| 工作电流 | 23mA |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 5 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 时钟频率(fc) | 3.733GHz |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V； 1.06V~1.17V |
| 刷新电流 | 370uA |
| 功能特性 | 写入均衡功能； 自动自刷新； 自动预充电功能； ZQ校准功能； 异步复位功能 |
H9HCNNN8KUMLHR-NME概述
特性：VDD1 = 1.8V (1.7V to 1.95V)。 VDD2, VDDCA and VDDQ = 1.1V (1.06 to 1.17)。 VSSQ terminated DQ signals (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI)。 单数据速率架构用于命令和地址； 所有控制和地址在时钟上升沿锁存
H9HCNNN8KUMLHR-NME特性
暂无产品特性。
H9HCNNN8KUMLHR-NME应用领域
暂无应用领域。