H5VU10B
IC
DFN1006-2
可供量大可议
H5VU10B
特性：低泄漏电流。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2 (ESD Air): ±30 kV。 IEC 61000-4-2 (ESD Contact): ±25 kV。 IEC 61000-4-5 (Lightning 8/20 μs): 4 A。 应用：手机及配件。 个人数字助理
品牌
R+O
封装
DFN1006-2
库存
13,460
货期
现货
H5VU10B参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 13460 |
H5VU10B概述
特性：低泄漏电流。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2 (ESD Air): ±30 kV。 IEC 61000-4-2 (ESD Contact): ±25 kV。 IEC 61000-4-5 (Lightning 8/20 μs): 4 A。 应用：手机及配件。 个人数字助理
H5VU10B特性
暂无产品特性。
H5VU10B应用领域
暂无应用领域。