H5VL16B
IC
DFN1610
可供量大可议
H5VL16B
特性：低泄漏电流。 DFN1610-2L表面贴装封装。 IEC 61000-4-2 (ESD Air)：±25kV。 IEC 61000-4-2 (ESD Contact)：±25kV。 IEC 61000-4-5 (Lightning 8/20μs)：7.0A。 应用：手机、数码相机。 电池保护
品牌
R+O
封装
DFN1610
库存
29,810
货期
现货
H5VL16B参数
| 封装 | DFN1610 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 29810 |
H5VL16B概述
特性：低泄漏电流。 DFN1610-2L表面贴装封装。 IEC 61000-4-2 (ESD Air)：±25kV。 IEC 61000-4-2 (ESD Contact)：±25kV。 IEC 61000-4-5 (Lightning 8/20μs)：7.0A。 应用：手机、数码相机。 电池保护
H5VL16B特性
暂无产品特性。
H5VL16B应用领域
暂无应用领域。