H5VL10BH
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
H5VL10BH
特性：低泄漏电流。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2 (ESD 空气放电)：±30 kV。 IEC 61000-4-2 (ESD 接触放电)：±30 kV。 IEC 61000-4-5 (雷击 8/20 μs)：3.5 A。 应用：手机及配件。 个人数字助理
品牌
R+O
封装
DFN1006-2L
库存
23,100
货期
现货
H5VL10BH参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 23100 |
H5VL10BH概述
特性：低泄漏电流。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2 (ESD 空气放电)：±30 kV。 IEC 61000-4-2 (ESD 接触放电)：±30 kV。 IEC 61000-4-5 (雷击 8/20 μs)：3.5 A。 应用：手机及配件。 个人数字助理
H5VL10BH特性
暂无产品特性。
H5VL10BH应用领域
暂无应用领域。