H5TQ4G83EFR-RDC
IC
FBGA-78
可供量大可议
H5TQ4G83EFR-RDC
是一款4,294,967,296位CMOS双数据速率III（DDR3）同步DRAM， 非常适合需要大存储密度和高带宽的主内存应用。 提供完全同步操作， 参考时钟的上升沿和下降沿。 所有地址和控制输入在CK的上升沿（CK的下降沿）锁存， 数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿采样。 数据路径内部流水线化并进行8位预取， 以实现非常高的带宽。
品牌
HYNIX
封装
FBGA-78
库存
5
货期
现货
H5TQ4G83EFR-RDC参数
| 封装 | FBGA-78 |
|---|---|
| 品牌 | HYNIX(海力士) |
| 批次 | 20+ |
| 存储器构架(格式) | DDR3 SDRAM |
| 存储容量 | 4Gbit |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 5 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 时钟频率(fc) | 1.066GHz |
| 工作电压 | 1.425V~1.575V |
| 功能特性 | 写入均衡功能； 自动自刷新； 自动预充电功能； ZQ校准功能； 异步复位功能； 动态片上端接； 数据掩码功能 |
H5TQ4G83EFR-RDC概述
是一款4,294,967,296位CMOS双数据速率III（DDR3）同步DRAM， 非常适合需要大存储密度和高带宽的主内存应用。 提供完全同步操作， 参考时钟的上升沿和下降沿。 所有地址和控制输入在CK的上升沿（CK的下降沿）锁存， 数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿采样。 数据路径内部流水线化并进行8位预取， 以实现非常高的带宽。
H5TQ4G83EFR-RDC特性
暂无产品特性。
H5TQ4G83EFR-RDC应用领域
暂无应用领域。