H5TQ4G63EFR-TEC
IC
FBGA-96
可供量大可议
H5TQ4G63EFR-TEC
H5TQ4G83EFR-xxC、H5TQ4G63EFR-xxC、H5TQ4G83EFR-xxI、H5TQ4G63EFR-xxI、H5TQ4G83EFR-xxL、H5TQ4G63EFR-xxL、H5TQ4G83EFR-xxJ和H5TQ4G63EFR-xxJ是一款4,294,967,296位的CMOS双数据速率三代（DDR3）同步动态随机存取存储器（SDRAM）， 非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。 4Gb DDR3 SDRAM提供完全同步操作， 参考时钟的上升沿和下降沿。 所有地址和控制输入在CK的上升沿（CK的下降沿）锁存， 而数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿均被采样
品牌
HYNIX
封装
FBGA-96
库存
42
货期
现货
H5TQ4G63EFR-TEC参数
| 封装 | FBGA-96 |
|---|---|
| 品牌 | HYNIX(海力士) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 42 |
H5TQ4G63EFR-TEC概述
H5TQ4G83EFR-xxC、H5TQ4G63EFR-xxC、H5TQ4G83EFR-xxI、H5TQ4G63EFR-xxI、H5TQ4G83EFR-xxL、H5TQ4G63EFR-xxL、H5TQ4G83EFR-xxJ和H5TQ4G63EFR-xxJ是一款4,294,967,296位的CMOS双数据速率三代（DDR3）同步动态随机存取存储器（SDRAM）， 非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。 4Gb DDR3 SDRAM提供完全同步操作， 参考时钟的上升沿和下降沿。 所有地址和控制输入在CK的上升沿（CK的下降沿）锁存， 而数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿均被采样
H5TQ4G63EFR-TEC特性
暂无产品特性。
H5TQ4G63EFR-TEC应用领域
暂无应用领域。