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H5TC4G63EFR-RDAR
IC

FBGA-96

可供量大可议

H5TC4G63EFR-RDAR

H5TC4G83EFR-xxA(I, L, J, K), H5TQC4G63EFR-xxA(I, L, J, K) 均为 4Gb 低功耗双倍数据速率III (DDR3L) 同步DRAM, 非常适合需要大内存密度、高带宽和低功耗运行(电压为1.35V)的主内存应用。 SK Hynix DDR3L SDRAM 在不进行任何更改的情况下, 与基于1.5V的DDR3环境向后兼容。 SK Hynix 4Gb DDR3L SDRAM 提供完全同步操作, 参考时钟的上升沿和下降沿。 所有地址和控制输入都在时钟的上升沿(时钟的下降沿)上锁存, 数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿上采样。 数据路径内部经过流水线处理, 并预取8位以实现非常高的带宽。

品牌

HYNIX

封装

FBGA-96

库存

2,461

货期

现货

H5TC4G63EFR-RDAR参数

封装FBGA-96
品牌HYNIX(海力士)
MOQ / SPQ1 / 1
分类DDR SDRAM
库存2461

H5TC4G63EFR-RDAR概述

H5TC4G83EFR-xxA(I, L, J, K), H5TQC4G63EFR-xxA(I, L, J, K) 均为 4Gb 低功耗双倍数据速率III (DDR3L) 同步DRAM, 非常适合需要大内存密度、高带宽和低功耗运行(电压为1.35V)的主内存应用。 SK Hynix DDR3L SDRAM 在不进行任何更改的情况下, 与基于1.5V的DDR3环境向后兼容。 SK Hynix 4Gb DDR3L SDRAM 提供完全同步操作, 参考时钟的上升沿和下降沿。 所有地址和控制输入都在时钟的上升沿(时钟的下降沿)上锁存, 数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿上采样。 数据路径内部经过流水线处理, 并预取8位以实现非常高的带宽。

H5TC4G63EFR-RDAR特性

暂无产品特性。

H5TC4G63EFR-RDAR应用领域

暂无应用领域。

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