H5TC4G63EFR-RDAR
IC
FBGA-96
可供量大可议
H5TC4G63EFR-RDAR
H5TC4G83EFR-xxA(I, L, J, K), H5TQC4G63EFR-xxA(I, L, J, K) 均为 4Gb 低功耗双倍数据速率III (DDR3L) 同步DRAM, 非常适合需要大内存密度、高带宽和低功耗运行(电压为1.35V)的主内存应用。 SK Hynix DDR3L SDRAM 在不进行任何更改的情况下, 与基于1.5V的DDR3环境向后兼容。 SK Hynix 4Gb DDR3L SDRAM 提供完全同步操作, 参考时钟的上升沿和下降沿。 所有地址和控制输入都在时钟的上升沿(时钟的下降沿)上锁存, 数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿上采样。 数据路径内部经过流水线处理, 并预取8位以实现非常高的带宽。
品牌
HYNIX
封装
FBGA-96
库存
2,461
货期
现货
H5TC4G63EFR-RDAR参数
| 封装 | FBGA-96 |
|---|---|
| 品牌 | HYNIX(海力士) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 2461 |
H5TC4G63EFR-RDAR概述
H5TC4G83EFR-xxA(I, L, J, K), H5TQC4G63EFR-xxA(I, L, J, K) 均为 4Gb 低功耗双倍数据速率III (DDR3L) 同步DRAM, 非常适合需要大内存密度、高带宽和低功耗运行(电压为1.35V)的主内存应用。 SK Hynix DDR3L SDRAM 在不进行任何更改的情况下, 与基于1.5V的DDR3环境向后兼容。 SK Hynix 4Gb DDR3L SDRAM 提供完全同步操作, 参考时钟的上升沿和下降沿。 所有地址和控制输入都在时钟的上升沿(时钟的下降沿)上锁存, 数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿上采样。 数据路径内部经过流水线处理, 并预取8位以实现非常高的带宽。
H5TC4G63EFR-RDAR特性
暂无产品特性。
H5TC4G63EFR-RDAR应用领域
暂无应用领域。
