H5N50G
IC
TO-252
可供量大可议
H5N50G
N沟道， 漏源电压：500V， 连续漏极电流：5A， 导通电阻：1.5Ω@10V， 耗散功率：52W， MOSFET产品， ESD防护。
品牌
Huixin
封装
TO-252
库存
1,494
货期
现货
H5N50G参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Huixin(慧芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1494 |
H5N50G概述
N沟道， 漏源电压：500V， 连续漏极电流：5A， 导通电阻：1.5Ω@10V， 耗散功率：52W， MOSFET产品， ESD防护。
H5N50G特性
暂无产品特性。
H5N50G应用领域
暂无应用领域。