H5N2522LS-VB
IC
TO-263
可供量大可议
H5N2522LS-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于中功率的开关和控制应用。 TO263； N—Channel沟道, 250V； 16A； RDS(ON)=230mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-263
库存
45
货期
现货
H5N2522LS-VB参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
H5N2522LS-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于中功率的开关和控制应用。 TO263； N—Channel沟道, 250V； 16A； RDS(ON)=230mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
H5N2522LS-VB特性
暂无产品特性。
H5N2522LS-VB应用领域
暂无应用领域。