H5AN8G8NCJR-VKC
IC
FBGA-78
可供量大可议
H5AN8G8NCJR-VKC
H5AN8G4NCJR-*xxC、H5AN8G8NCJR-*xxC、H5AN8G6NCJR-*xxC 是一款 8Gb 的互补金属氧化物半导体（CMOS）双倍数据速率 IV（DDR4）同步动态随机存取存储器（DRAM）， 非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。 它支持基于时钟信号上升沿和下降沿的全同步操作。 所有地址和控制输入在 CK 的上升沿（CK 的下降沿）锁存， 而数据、数据选通和写数据掩码输入则在其上升沿和下降沿进行采样
品牌
HYNIX
封装
FBGA-78
库存
10
货期
现货
H5AN8G8NCJR-VKC参数
| 封装 | FBGA-78 |
|---|---|
| 品牌 | HYNIX(海力士) |
| 批次 | 20+ |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM |
| 存储容量 | 8Gbit |
| 工作电流 | 30mA |
| 工作温度 | 0℃~+85℃ |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V |
| 刷新电流 | 3mA |
| 功能特性 | 写入均衡功能； 自动自刷新； CRC功能； ZQ校准功能； 自动预充电功能； 异步复位功能； 动态片上端接； 数据掩码功能 |
H5AN8G8NCJR-VKC概述
H5AN8G4NCJR-*xxC、H5AN8G8NCJR-*xxC、H5AN8G6NCJR-*xxC 是一款 8Gb 的互补金属氧化物半导体（CMOS）双倍数据速率 IV（DDR4）同步动态随机存取存储器（DRAM）， 非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。 它支持基于时钟信号上升沿和下降沿的全同步操作。 所有地址和控制输入在 CK 的上升沿（CK 的下降沿）锁存， 而数据、数据选通和写数据掩码输入则在其上升沿和下降沿进行采样
H5AN8G8NCJR-VKC特性
暂无产品特性。
H5AN8G8NCJR-VKC应用领域
暂无应用领域。