H5AN8G6NCJR-VKC
IC
FBGA-96
可供量大可议
H5AN8G6NCJR-VKC
是 8Gb CMOS 双数据速率 IV (DDR4) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM), 非常适合需要大存储密度和高带宽的主存储器应用。 提供完全同步操作, 参考时钟的上升沿和下降沿。 所有地址和控制输入在 CK 的上升沿锁存, 数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿采样。 数据路径内部流水线化并进行 8 位预取, 以实现非常高的带宽。
品牌
HYNIX
封装
FBGA-96
库存
20
货期
现货
H5AN8G6NCJR-VKC参数
| 封装 | FBGA-96 |
|---|---|
| 品牌 | HYNIX(海力士) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 20 |
H5AN8G6NCJR-VKC概述
是 8Gb CMOS 双数据速率 IV (DDR4) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM), 非常适合需要大存储密度和高带宽的主存储器应用。 提供完全同步操作, 参考时钟的上升沿和下降沿。 所有地址和控制输入在 CK 的上升沿锁存, 数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿采样。 数据路径内部流水线化并进行 8 位预取, 以实现非常高的带宽。
H5AN8G6NCJR-VKC特性
暂无产品特性。
H5AN8G6NCJR-VKC应用领域
暂无应用领域。
