H4423P
IC
DFN-8-EP(3x3)
可供量大可议
H4423P
P沟道， 漏源电压：30V， 连续漏极电流：34A， 导通电阻：7.4mΩ@10V， 耗散功率：30W， MOSFET产品， ESD防护。
品牌
Huixin
封装
DFN-8-EP(3x3)
库存
1,900
货期
现货
H4423P参数
| 封装 | DFN-8-EP(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | Huixin(慧芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1900 |
H4423P概述
P沟道， 漏源电压：30V， 连续漏极电流：34A， 导通电阻：7.4mΩ@10V， 耗散功率：30W， MOSFET产品， ESD防护。
H4423P特性
暂无产品特性。
H4423P应用领域
暂无应用领域。