H40N25
IC
TO-220AB
可供量大可议
H40N25
场效应管(MOSFET):N沟道, 漏源电压:250V, 连续漏极电流:55A, 导通电阻69mΩ@10V, 27.5A, 耗散功率:300W
品牌
Huixin
封装
TO-220AB
库存
76
货期
现货
H40N25参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | Huixin(慧芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 76 |
H40N25概述
场效应管(MOSFET):N沟道, 漏源电压:250V, 连续漏极电流:55A, 导通电阻69mΩ@10V, 27.5A, 耗散功率:300W
H40N25特性
暂无产品特性。
H40N25应用领域
暂无应用领域。