H3V3NT2B
IC
SOT-23
可供量大可议
H3V3NT2B
特性：低泄漏电流。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2 (ESD 空气放电)：±30 kV。 IEC 61000-4-2 (ESD 接触放电)：±30 kV。 IEC 61000-4-5 (雷击 8/20 μs)：20 A。 应用：手机及配件。 个人数字助理
品牌
R+O
封装
SOT-23
库存
2,420
货期
现货
H3V3NT2B参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2420 |
H3V3NT2B概述
特性：低泄漏电流。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2 (ESD 空气放电)：±30 kV。 IEC 61000-4-2 (ESD 接触放电)：±30 kV。 IEC 61000-4-5 (雷击 8/20 μs)：20 A。 应用：手机及配件。 个人数字助理
H3V3NT2B特性
暂无产品特性。
H3V3NT2B应用领域
暂无应用领域。