H3V3L25U
IC
DFN2510-10
可供量大可议
H3V3L25U
特性：低泄漏电流。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2 (ESD 空气放电)：±20 kV。 IEC 61000-4-2 (ESD 接触放电)：±15 kV。 IEC 61000-4-5 (雷电 8/20 μs)：4 A。 应用：手机及配件。 个人数字助理
品牌
R+O
封装
DFN2510-10
库存
4,060
货期
现货
H3V3L25U参数
| 封装 | DFN2510-10 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 4060 |
H3V3L25U概述
特性：低泄漏电流。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2 (ESD 空气放电)：±20 kV。 IEC 61000-4-2 (ESD 接触放电)：±15 kV。 IEC 61000-4-5 (雷电 8/20 μs)：4 A。 应用：手机及配件。 个人数字助理
H3V3L25U特性
暂无产品特性。
H3V3L25U应用领域
暂无应用领域。