H3N80D
IC
TO-252
可供量大可议
H3N80D
N沟道， 漏源电压：800V， 连续漏极电流：3A， 导通电阻：3.8Ω@10V， 耗散功率：75W， MOSFET产品， ESD防护。
品牌
Huixin
封装
TO-252
库存
1,368
货期
现货
H3N80D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Huixin(慧芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1368 |
H3N80D概述
N沟道， 漏源电压：800V， 连续漏极电流：3A， 导通电阻：3.8Ω@10V， 耗散功率：75W， MOSFET产品， ESD防护。
H3N80D特性
暂无产品特性。
H3N80D应用领域
暂无应用领域。