H30N156R2
IC
SOT-23
可供量大可议
H30N156R2
内置2颗集成电阻Rg、Rgs， 静电防护结构， SS8050升级版， N沟道， 漏源电压：30V， 连续漏极电流：1.7A， 导通电阻：156mΩ@10V， 耗散功率：1000mW， 适用于便携式设备负载开关、DC/DC转换器、电源模块等。
品牌
Huixin
封装
SOT-23
库存
2,980
货期
现货
H30N156R2参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Huixin(慧芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2980 |
H30N156R2概述
内置2颗集成电阻Rg、Rgs， 静电防护结构， SS8050升级版， N沟道， 漏源电压：30V， 连续漏极电流：1.7A， 导通电阻：156mΩ@10V， 耗散功率：1000mW， 适用于便携式设备负载开关、DC/DC转换器、电源模块等。
H30N156R2特性
暂无产品特性。
H30N156R2应用领域
暂无应用领域。