H3.0SMCJ30A13
IC
SMC(DO-214AB)
可供量大可议
H3.0SMCJ30A13
该静电和浪涌保护器件采用单向设计， 适用于需要高效能瞬态电压抑制（TVS）的场合。 其关键参数包括：峰值脉冲电流(IPP)为31A， 能够承受较高的能量冲击； 工作电压(VRWM)为30V， 确保在正常工作条件下稳定运行； 单线制结构使其易于集成到各种电子设备中， 有效保护敏感电路免受静电放电(ESD)及其它瞬态过电压事件的影响。 这款保护器是维护电子系统可靠性的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMC(DO-214AB)
库存
2,760
货期
现货
H3.0SMCJ30A13参数
| 封装 | SMC(DO-214AB) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2760 |
H3.0SMCJ30A13概述
该静电和浪涌保护器件采用单向设计， 适用于需要高效能瞬态电压抑制（TVS）的场合。 其关键参数包括：峰值脉冲电流(IPP)为31A， 能够承受较高的能量冲击； 工作电压(VRWM)为30V， 确保在正常工作条件下稳定运行； 单线制结构使其易于集成到各种电子设备中， 有效保护敏感电路免受静电放电(ESD)及其它瞬态过电压事件的影响。 这款保护器是维护电子系统可靠性的理想选择。
H3.0SMCJ30A13特性
暂无产品特性。
H3.0SMCJ30A13应用领域
暂无应用领域。