H2SK3018T106

此款N沟道场效应管（MOSFET）具备0.1A的连续漏极电流（ID）， 最大漏源电压（VDSS）可达30V， 导通电阻（RDS(on)）为1500毫欧， 栅源电压（VGS）范围为20V。 这些特性使其适用于多种电路设计中， 如电源管理、信号切换等应用场景。 其低导通电阻有助于减少功耗， 提高效率， 同时确保了良好的热稳定性。 该MOSFET的小信号开关性能优越， 能够快速响应， 适合于精密控制领域。