H2N7002SDW1T1G

该N沟道增强型MOSFET具有115mA的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(on)）低至1.3mΩ， 有助于减少功率损耗并提升转换效率。 栅源额定电压为±20V（VGS）， 具备较高的驱动兼容性与稳定性。 器件适用于中低电流、高效率的开关电源、DC-DC变换电路及负载开关设计。 其低导通电阻与良好的热稳定性使其在便携式设备、小型电源适配器及电池供电系统中表现出良好的性能， 适合对能效和空间布局有要求的通用电子应用。