H2N7002K7

这款N沟道场效应管具有60V的漏源电压耐受能力， 最大连续漏极电流为0.3A。 尽管其导通电阻相对较高， 达到1000毫欧姆， 但该MOSFET能够在20V的栅源电压下稳定工作。 它适合应用于需要较小电流控制和高电压处理的场景， 如便携式设备、小型电源管理电路及信号处理等消费电子产品中， 提供可靠的开关与放大功能。