H2N7002DW7F

这款N+N沟道场效应管(MOSFET)专为精密控制而设计， 其最大连续漏极电流ID为0.1A， 适合低功耗应用。 该器件能够承受高达60V的漏源电压VDSS， 并具有1300mΩ的导通电阻RDON， 确保了良好的开关性能。 支持-20V到+20V的栅源电压VGS范围， 使其在需要精细调节电流的场合中表现出色。 适用于便携式设备、家用电器及小型电子项目中的电源管理和信号处理等场景。