H25N60F
IC
TO-220F
可供量大可议
H25N60F
N沟道， 漏源电压：600V， 连续漏极电流：25A， 导通电阻：140mΩ@10V， 耗散功率：35W， MOSFET产品， ESD防护。
品牌
Huixin
封装
TO-220F
库存
50
货期
现货
H25N60F参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | Huixin(慧芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
H25N60F概述
N沟道， 漏源电压：600V， 连续漏极电流：25A， 导通电阻：140mΩ@10V， 耗散功率：35W， MOSFET产品， ESD防护。
H25N60F特性
暂无产品特性。
H25N60F应用领域
暂无应用领域。