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H20P243R2
IC

SOT-523

可供量大可议

H20P243R2

内置2颗集成电阻Rg、Rgs, 静电防护结构, P沟道, 漏源电压:20V, 连续漏极电流:0.7A, 导通电阻:243mΩ@4.5V, 耗散功率:300mW, 适用于便携式设备负载开关、DC/DC转换器、电源模块等。

品牌

Huixin

封装

SOT-523

库存

3,000

货期

现货

H20P243R2参数

封装SOT-523
品牌Huixin(慧芯)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存3000

H20P243R2概述

内置2颗集成电阻Rg、Rgs, 静电防护结构, P沟道, 漏源电压:20V, 连续漏极电流:0.7A, 导通电阻:243mΩ@4.5V, 耗散功率:300mW, 适用于便携式设备负载开关、DC/DC转换器、电源模块等。

H20P243R2特性

暂无产品特性。

H20P243R2应用领域

暂无应用领域。

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