H20N80R2
IC
DFN1006-3L
可供量大可议
H20N80R2
内置2颗集成电阻Rg、Rgs， 静电防护结构， N沟道， 漏源电压：20V， 连续漏极电流：0.8A， 导通电阻：80mΩ@4.5V， 耗散功率：120mW， 适用于可穿戴产品。
品牌
Huixin
封装
DFN1006-3L
库存
9,940
货期
现货
H20N80R2参数
| 封装 | DFN1006-3L |
|---|---|
| 品牌 | Huixin(慧芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9940 |
H20N80R2概述
内置2颗集成电阻Rg、Rgs， 静电防护结构， N沟道， 漏源电压：20V， 连续漏极电流：0.8A， 导通电阻：80mΩ@4.5V， 耗散功率：120mW， 适用于可穿戴产品。
H20N80R2特性
暂无产品特性。
H20N80R2应用领域
暂无应用领域。