库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
H1D04065BF-HXY
IC

SMBF

可供量大可议

H1D04065BF-HXY

该碳化硅二极管具有4A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于中高功率电力转换电路。 其正向导通压降(VF)为1.3V, 有助于降低导通损耗, 提升系统能效。 在反向关断状态下, 漏电流(IR)典型值为10μA, 具备良好的阻断性能。 得益于碳化硅材料的特性, 器件具有快速开关速度和优异的高温工作能力, 适合用于高频率开关电源、高效DC-DC变换器、服务器电源模块及对功率密度要求较高的电力电子装置, 有助于减小磁性元件体积并优化热管理设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMBF

库存

3,959

货期

现货

H1D04065BF-HXY参数

封装SMBF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存3959

H1D04065BF-HXY概述

该碳化硅二极管具有4A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于中高功率电力转换电路。 其正向导通压降(VF)为1.3V, 有助于降低导通损耗, 提升系统能效。 在反向关断状态下, 漏电流(IR)典型值为10μA, 具备良好的阻断性能。 得益于碳化硅材料的特性, 器件具有快速开关速度和优异的高温工作能力, 适合用于高频率开关电源、高效DC-DC变换器、服务器电源模块及对功率密度要求较高的电力电子装置, 有助于减小磁性元件体积并优化热管理设计。

H1D04065BF-HXY特性

暂无产品特性。

H1D04065BF-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件