H1D04065BF-HXY
IC
SMBF
可供量大可议
H1D04065BF-HXY
该碳化硅二极管具有4A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于中高功率电力转换电路。 其正向导通压降(VF)为1.3V, 有助于降低导通损耗, 提升系统能效。 在反向关断状态下, 漏电流(IR)典型值为10μA, 具备良好的阻断性能。 得益于碳化硅材料的特性, 器件具有快速开关速度和优异的高温工作能力, 适合用于高频率开关电源、高效DC-DC变换器、服务器电源模块及对功率密度要求较高的电力电子装置, 有助于减小磁性元件体积并优化热管理设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMBF
库存
3,959
货期
现货
H1D04065BF-HXY参数
| 封装 | SMBF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 3959 |
H1D04065BF-HXY概述
该碳化硅二极管具有4A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于中高功率电力转换电路。 其正向导通压降(VF)为1.3V, 有助于降低导通损耗, 提升系统能效。 在反向关断状态下, 漏电流(IR)典型值为10μA, 具备良好的阻断性能。 得益于碳化硅材料的特性, 器件具有快速开关速度和优异的高温工作能力, 适合用于高频率开关电源、高效DC-DC变换器、服务器电源模块及对功率密度要求较高的电力电子装置, 有助于减小磁性元件体积并优化热管理设计。
H1D04065BF-HXY特性
暂无产品特性。
H1D04065BF-HXY应用领域
暂无应用领域。
