H1D02065AF-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
H1D02065AF-HXY
该碳化硅二极管具有2A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于中高压功率转换场景。 其正向导通压降(VF)低至1.3V, 可有效减少导通损耗, 提升系统整体能效。 在关断状态下, 反向漏电流(IR)仅为2μA, 表现出优异的阻断特性与稳定性。 得益于碳化硅材料的特性, 该器件具备快速开关能力和良好的热性能, 适合用于高频率开关电源、高效DC-DC转换器及要求紧凑设计的电力变换模块, 有助于减小被动元件体积并提升功率密度。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
1,400
货期
现货
H1D02065AF-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 1400 |
H1D02065AF-HXY概述
该碳化硅二极管具有2A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于中高压功率转换场景。 其正向导通压降(VF)低至1.3V, 可有效减少导通损耗, 提升系统整体能效。 在关断状态下, 反向漏电流(IR)仅为2μA, 表现出优异的阻断特性与稳定性。 得益于碳化硅材料的特性, 该器件具备快速开关能力和良好的热性能, 适合用于高频率开关电源、高效DC-DC转换器及要求紧凑设计的电力变换模块, 有助于减小被动元件体积并提升功率密度。
H1D02065AF-HXY特性
暂无产品特性。
H1D02065AF-HXY应用领域
暂无应用领域。
