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H1D02065AF-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

H1D02065AF-HXY

该碳化硅二极管具有2A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于中高压功率转换场景。 其正向导通压降(VF)低至1.3V, 可有效减少导通损耗, 提升系统整体能效。 在关断状态下, 反向漏电流(IR)仅为2μA, 表现出优异的阻断特性与稳定性。 得益于碳化硅材料的特性, 该器件具备快速开关能力和良好的热性能, 适合用于高频率开关电源、高效DC-DC转换器及要求紧凑设计的电力变换模块, 有助于减小被动元件体积并提升功率密度。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

1,400

货期

现货

H1D02065AF-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类碳化硅二极管
库存1400

H1D02065AF-HXY概述

该碳化硅二极管具有2A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于中高压功率转换场景。 其正向导通压降(VF)低至1.3V, 可有效减少导通损耗, 提升系统整体能效。 在关断状态下, 反向漏电流(IR)仅为2μA, 表现出优异的阻断特性与稳定性。 得益于碳化硅材料的特性, 该器件具备快速开关能力和良好的热性能, 适合用于高频率开关电源、高效DC-DC转换器及要求紧凑设计的电力变换模块, 有助于减小被动元件体积并提升功率密度。

H1D02065AF-HXY特性

暂无产品特性。

H1D02065AF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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