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H18VL10BS
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

H18VL10BS

18V深回扫snap-back超低电容超低钳位DFN1006-2L双向ESD防护器件, IPP_7A、VC_8V、0.65pF、ESD 15KV; 普遍应用于消费/工业类电子、个人数码产品和便携式电子产品等电路防护。

品牌

R+O

封装

DFN1006-2L

库存

9,840

货期

现货

H18VL10BS参数

封装DFN1006-2L
品牌R+O(宏嘉诚)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存9840

H18VL10BS概述

18V深回扫snap-back超低电容超低钳位DFN1006-2L双向ESD防护器件, IPP_7A、VC_8V、0.65pF、ESD 15KV; 普遍应用于消费/工业类电子、个人数码产品和便携式电子产品等电路防护。

H18VL10BS特性

暂无产品特性。

H18VL10BS应用领域

暂无应用领域。

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