H15N65D
IC
TO-252
可供量大可议
H15N65D
N沟道， 漏源电压：650V， 连续漏极电流：15A， 导通电阻：260mΩ@10V， 耗散功率：131W， MOSFET产品， ESD防护。
品牌
Huixin
封装
TO-252
库存
2,297
货期
现货
H15N65D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Huixin(慧芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2297 |
H15N65D概述
N沟道， 漏源电压：650V， 连续漏极电流：15A， 导通电阻：260mΩ@10V， 耗散功率：131W， MOSFET产品， ESD防护。
H15N65D特性
暂无产品特性。
H15N65D应用领域
暂无应用领域。