H14N10FBL
IC
PDFN-8L(5x6)
可供量大可议
H14N10FBL
N沟道， 漏源电压：100V， 连续漏极电流：13.8A， 导通电阻：75mΩ@10V， 耗散功率：35W， MOSFET产品， ESD防护。
品牌
Huixin
封装
PDFN-8L(5x6)
库存
4,938
货期
现货
H14N10FBL参数
| 封装 | PDFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Huixin(慧芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4938 |
H14N10FBL概述
N沟道， 漏源电压：100V， 连续漏极电流：13.8A， 导通电阻：75mΩ@10V， 耗散功率：35W， MOSFET产品， ESD防护。
H14N10FBL特性
暂无产品特性。
H14N10FBL应用领域
暂无应用领域。