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H13N50F
IC

TO-220F

可供量大可议

H13N50F

场效应管(MOSFET):N沟道, 漏源电压:500V, 连续漏极电流:13A, 导通电阻0.48Ω@10V, 耗散功率:40W

品牌

Huixin

封装

TO-220F

库存

45

货期

现货

H13N50F参数

封装TO-220F
品牌Huixin(慧芯)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存45

H13N50F概述

场效应管(MOSFET):N沟道, 漏源电压:500V, 连续漏极电流:13A, 导通电阻0.48Ω@10V, 耗散功率:40W

H13N50F特性

暂无产品特性。

H13N50F应用领域

暂无应用领域。

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