H12N60E
IC
TO-220AB
可供量大可议
H12N60E
N沟道， 漏源电压：600V， 连续漏极电流：12A， 导通电阻：370mΩ@10V， 耗散功率：150W， MOSFET产品， ESD防护。
品牌
Huixin
封装
TO-220AB
库存
46
货期
现货
H12N60E参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | Huixin(慧芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 46 |
H12N60E概述
N沟道， 漏源电压：600V， 连续漏极电流：12A， 导通电阻：370mΩ@10V， 耗散功率：150W， MOSFET产品， ESD防护。
H12N60E特性
暂无产品特性。
H12N60E应用领域
暂无应用领域。