H11G2SR2VM
自营可供
IC
SMD-6P
H11G2SR2VM
H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。 这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管， 具有集成的基极-发射极电阻， 可优化高温特性。
品牌
onsemi
封装
SMD-6P
交期
现货
批次
—
H11G2SR2VM参数
| 封装 | SMD-6P |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输出类型 | 达林顿晶体管 |
| 隔离电压(Vrms) | 4.17kV |
| 负载电压 | 80V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 850mV@50mA, 16mA |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 500% |
| 正向电流(If) | 60mA |
| 商品名称 | DC输入 隔离电压(rms):4170V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 晶体管输出光耦 |
| 分类 | 晶体管输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 200 |
| 输入类型 | DC |
| 正向压降(Vf) | 1.3V |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V |
| 输出通道数 | 1 |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ |
| 总功耗(Pd) | 290mW |
| 功能特性 | 达林顿输出结构 |
| 商品型号 | H11G2SR2VM |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000494 |
H11G2SR2VM概述
H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。 这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管， 具有集成的基极-发射极电阻， 可优化高温特性。