H11G1TVM
IC
DIP-6
可供量大可议
H11G1TVM
H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。 这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管， 具有集成的基极-发射极电阻， 可优化高温特性。
品牌
onsemi
封装
DIP-6
库存
100
货期
现货
H11G1TVM参数
| 封装 | DIP-6 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输出类型 | 达林顿晶体管 |
| 隔离电压(Vrms) | 4.17kV |
| 负载电压 | 100V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 850mV@50mA, 16mA |
| 功能特性 | 达林顿输出结构 |
| 商品型号 | H11G1TVM |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.001061 |
| 分类 | 晶体管输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 输入类型 | DC |
| 正向压降(Vf) | 1.3V |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V |
| 输出通道数 | 1 |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ |
| 商品名称 | DC输入 隔离电压(rms):4170V |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 晶体管输出光耦 |
H11G1TVM概述
H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。 这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管， 具有集成的基极-发射极电阻， 可优化高温特性。
H11G1TVM特性
暂无产品特性。
H11G1TVM应用领域
暂无应用领域。