H11G1SR2M
IC
PDIP-6
可供量大可议
H11G1SR2M
H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。 这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管， 具有集成的基极-发射极电阻， 可优化高温特性。
品牌
onsemi
封装
PDIP-6
库存
33
货期
现货
H11G1SR2M参数
| 封装 | PDIP-6 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 晶体管输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 33 |
H11G1SR2M概述
H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。 这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管， 具有集成的基极-发射极电阻， 可优化高温特性。
H11G1SR2M特性
暂无产品特性。
H11G1SR2M应用领域
暂无应用领域。