H10N65F-VB
IC
TO-220F
可供量大可议
H10N65F-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Plannar技术， 具有高性能和可靠性。 适用于太阳能逆变器、UPS系统等的功率开关、电动汽车的驱动模块等领域。 TO220F； N—Channel沟道, 650V； 10A； RDS(ON)=820mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
9
货期
现货
H10N65F-VB参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
H10N65F-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Plannar技术， 具有高性能和可靠性。 适用于太阳能逆变器、UPS系统等的功率开关、电动汽车的驱动模块等领域。 TO220F； N—Channel沟道, 650V； 10A； RDS(ON)=820mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
H10N65F-VB特性
暂无产品特性。
H10N65F-VB应用领域
暂无应用领域。