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H10N65F
IC

TO-220F

可供量大可议

H10N65F

场效应管(MOSFET):N沟道, 漏源电压:650V, 连续漏极电流:10A, 导通电阻1.0Ω@10V, 耗散功率:32W

品牌

Huixin

封装

TO-220F

库存

50

货期

现货

H10N65F参数

封装TO-220F
品牌Huixin(慧芯)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存50

H10N65F概述

场效应管(MOSFET):N沟道, 漏源电压:650V, 连续漏极电流:10A, 导通电阻1.0Ω@10V, 耗散功率:32W

H10N65F特性

暂无产品特性。

H10N65F应用领域

暂无应用领域。

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