H100N10FB
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
H100N10FB
N沟道， 漏源电压：100V， 连续漏极电流：100A， 导通电阻：4mΩ@10V， 耗散功率：125W， MOSFET产品， ESD防护。
品牌
Huixin
封装
DFN-8(5x6)
库存
1,264
货期
现货
H100N10FB参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Huixin(慧芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1264 |
H100N10FB概述
N沟道， 漏源电压：100V， 连续漏极电流：100A， 导通电阻：4mΩ@10V， 耗散功率：125W， MOSFET产品， ESD防护。
H100N10FB特性
暂无产品特性。
H100N10FB应用领域
暂无应用领域。