H08P6D
IC
TO-252
可供量大可议
H08P6D
P沟道， 漏源电压：60V， 连续漏极电流：8.8A， 导通电阻：160mΩ@10V， 耗散功率：42W， MOSFET产品， ESD防护。
品牌
Huixin
封装
TO-252
库存
2,490
货期
现货
H08P6D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Huixin(慧芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2490 |
H08P6D概述
P沟道， 漏源电压：60V， 连续漏极电流：8.8A， 导通电阻：160mΩ@10V， 耗散功率：42W， MOSFET产品， ESD防护。
H08P6D特性
暂无产品特性。
H08P6D应用领域
暂无应用领域。