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GWA40MS120DF4AG
IC

TO-247

可供量大可议

GWA40MS120DF4AG

IGBT TO-247 3 pin

品牌

ST

封装

TO-247

库存

600

货期

现货

GWA40MS120DF4AG参数

封装TO-247
品牌ST(意法半导体)
批次25+
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
耗散功率(Pd)536W
栅极电荷量(Qg)147nC
开启延迟时间(Td(on))35ns
导通损耗(Eon)1.5mJ
反向恢复时间(Trr)465ns
分类IGBT管/模块
库存600
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)80A
栅极阈值电压(Vge(th))5V@2mA
输入电容(Cies)2.7nF@25V
关断延迟时间(Td(off))140ns
关断损耗(Eoff)3.3mJ
工作温度-55℃~+175℃

GWA40MS120DF4AG概述

IGBT TO-247 3 pin

GWA40MS120DF4AG特性

暂无产品特性。

GWA40MS120DF4AG应用领域

暂无应用领域。

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