GT50JR22(S1WLD, E, S
IC
TO-3P-3
可供量大可议
GT50JR22(S1WLD, E, S
IGBT管/模块 GT50JR22(S1WLD, E, S TO-3P-3
品牌
TOSHIBA
封装
TO-3P-3
库存
3,170
货期
现货
GT50JR22(S1WLD, E, S参数
| 封装 | TO-3P-3 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| 批次 | 26+ |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 集电极电流(Ic) | 50A |
| 集电极截止电流(Ices) | 1mA |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 7.5V |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 250ns |
| 反向恢复时间(Trr) | 350ns |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 3,170 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 100A |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.2V@50A, 15V |
| 输入电容(Cies) | 2.7nF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 330ns |
GT50JR22(S1WLD, E, S概述
IGBT管/模块 GT50JR22(S1WLD, E, S TO-3P-3
GT50JR22(S1WLD, E, S特性
暂无产品特性。
GT50JR22(S1WLD, E, S应用领域
暂无应用领域。