GT40QR21(STA1, E, D
IC
TO-3P-3
可供量大可议
GT40QR21(STA1, E, D
IGBT管/模块 GT40QR21(STA1, E, D
品牌
TOSHIBA
封装
TO-3P-3
库存
993
货期
现货
GT40QR21(STA1, E, D参数
| 封装 | TO-3P-3 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| 批次 | 25+ |
| 耗散功率(Pd) | 230W |
| 集电极电流(Ic) | 40A |
| 集电极截止电流(Ices) | 1mA |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 7.5V |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 120ns |
| 关断损耗(Eoff) | 160uJ |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 993 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 80A |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.7V@40A, 15V |
| 输入电容(Cies) | 1.5nF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 200ns |
| 反向恢复时间(Trr) | 600ns |
GT40QR21(STA1, E, D概述
IGBT管/模块 GT40QR21(STA1, E, D
GT40QR21(STA1, E, D特性
暂无产品特性。
GT40QR21(STA1, E, D应用领域
暂无应用领域。