GT30J122A(STA1, E, D
IC
TO-3PN
可供量大可议
GT30J122A(STA1, E, D
IGBT管/模块 GT30J122A(STA1, E, D TO-3PN
品牌
TOSHIBA
封装
TO-3PN
库存
100
货期
现货
GT30J122A(STA1, E, D参数
| 封装 | TO-3PN |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| 批次 | 26+ |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 集电极电流(Ic) | 30A |
| 集电极截止电流(Ices) | 1mA |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 300ns |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 100A |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.8V@50A, 15V |
| 输入电容(Cies) | 2.5nF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 500ns |
GT30J122A(STA1, E, D概述
IGBT管/模块 GT30J122A(STA1, E, D TO-3PN
GT30J122A(STA1, E, D特性
暂无产品特性。
GT30J122A(STA1, E, D应用领域
暂无应用领域。