GT1K2N10H
IC
SOT-223
可供量大可议
GT1K2N10H
类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：100V@@连续漏极电流(Id)：4.5A@@阈值电压(Vgs(th))：2.2V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：89mΩ@10V 109mΩ@4.5V @@封装：SOT-223
品牌
GOFORD
封装
SOT-223
库存
10
货期
现货
GT1K2N10H参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | GOFORD(谷峰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
GT1K2N10H概述
类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：100V@@连续漏极电流(Id)：4.5A@@阈值电压(Vgs(th))：2.2V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：89mΩ@10V 109mΩ@4.5V @@封装：SOT-223
GT1K2N10H特性
暂无产品特性。
GT1K2N10H应用领域
暂无应用领域。