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GT100N12M
IC

TO-263

可供量大可议

GT100N12M

使用先进的沟槽技术, 提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。 可用于多种应用。

品牌

GOFORD

封装

TO-263

库存

1

货期

现货

GT100N12M参数

封装TO-263
品牌GOFORD(谷峰)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1

GT100N12M概述

使用先进的沟槽技术, 提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。 可用于多种应用。

GT100N12M特性

暂无产品特性。

GT100N12M应用领域

暂无应用领域。

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