GT095N04D5
IC
DFN5x6-8L
可供量大可议
GT095N04D5
使用先进的沟槽技术， 提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷， 可用于各种应用。
品牌
GOFORD
封装
DFN5x6-8L
库存
5
货期
现货
GT095N04D5参数
| 封装 | DFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | GOFORD(谷峰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 29.8W |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC |
| 反向传输电容(Crss) | 213pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | GT095N04D5 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000164 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 输入电容(Ciss) | 942pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 214pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:40V 电流:54A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
GT095N04D5概述
GT095N04D5采用先进的沟槽技术, 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷, 可应用于多种领域。
GT095N04D5特性
- 漏源电压VDS:40V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = 10V时):54A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):< 6mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5V时):< 9.5mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
GT095N04D5应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器