GT035N10M
IC
TO-263
可供量大可议
GT035N10M
使用先进的沟槽技术， 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷， 可用于多种应用。
Brand
GOFORD
Package
TO-263
Stock
1
货期
现货
GT035N10MParameters
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | GOFORD(谷峰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
GT035N10M概述
使用先进的沟槽技术， 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷， 可用于多种应用。
GT035N10M特性
暂无产品特性。
GT035N10M应用领域
暂无应用领域。