GT030N08M
IC
TO-263
可供量大可议
GT030N08M
类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：80V@@连续漏极电流(Id)：155A@@阈值电压(Vgs(th))：3V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：2.6mΩ@10V 3.0mΩ@4.5V @@封装：TO-263
品牌
GOFORD
封装
TO-263
库存
37
货期
现货
GT030N08M参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | GOFORD(谷峰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 37 |
GT030N08M概述
类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：80V@@连续漏极电流(Id)：155A@@阈值电压(Vgs(th))：3V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：2.6mΩ@10V 3.0mΩ@4.5V @@封装：TO-263
GT030N08M特性
暂无产品特性。
GT030N08M应用领域
暂无应用领域。