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GT011N03D5E
IC

DFN5x6-8L

可供量大可议

GT011N03D5E

使用先进的沟槽技术, 提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。 可用于多种应用。

品牌

GOFORD

封装

DFN5x6-8L

库存

253

货期

现货

GT011N03D5E参数

封装DFN5x6-8L
品牌GOFORD(谷峰)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存253

GT011N03D5E概述

使用先进的沟槽技术, 提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。 可用于多种应用。

GT011N03D5E特性

暂无产品特性。

GT011N03D5E应用领域

暂无应用领域。

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